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董蓬超， 范素华， 张丰庆， 陈杨
（山东建筑大学 材料科学与工程学院， 山东 济南 250101）
摘要：
利用sol-gel方法在SiO2/Si基板上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(CSBT)铁电薄膜，其中Si(100)为P型。利用XRD、SEM测试手段研究了CSBT铁电薄膜的结构与形貌，测试了Au/CSBT/SiO2/Si/Au结构的介电特性和C-V曲线。
关键词：
CSBT铁电薄膜； 层层退火； 择优取向； C-V特性
中图分类号： X 937文献标志码： A
Preparation and C-V Characteristics of Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 Thin Films Deposited on SiO2/Si Substrate
DONG Peng-chao, FAN Su-hua, ZHANG Feng-qing, CHEN Yang
(School of Materials Science and Engineering, Shandong Jianzhu University, Ji’nan 250101,China)
Abstract:
Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(CSBT)were preparated on SiO2/Si substracte by sol-gel method, and Si(100) was P type. The strctural characteristic and micrographs of CSBT ferroelectric thin films were examined by XRD and SEM. The metal-ferroelectric-insulation-semiconductor-metal structure showed that the dielectric properties and capacitance-voltage hysteresis was fine.
Key words:
CSBT ferroelectric thin film; sequential layer annealing method; dominated oritation; C-V characteristics
收稿日期：2011-09-26
基金项目： 国家自然科学基金资助项目（50872075）.
作者简介： 董蓬超（1986—）,男，硕士研究生.
